奇碼(Magima)筆試題目(收集篇)
面試筆試2.73W
收集一:
一.填空
1.集成電路的分類,按材料,工藝
2.集成電阻的計算,以及其製造工藝
,Vtn的正負判斷,分別對於增強型和耗盡型
電路功耗包括哪兩個部分,功耗設計主要考慮的因素
……(還有幾道不記得了)
二.填表
全定製,門陣列,FPGA各自單元模塊,連線的性質……
三.填圖
CMOS工藝流程填圖畫圖
四.問答
單元負載較大的電容時,只有提高W,這樣會使W*L增加,相對前級又時一個大電容,如何解決這一矛盾?
2.結合軟件談談全定製集成電路設計流程
3.談談對Layout設計的看法
五.翻版圖或者畫版圖,選一
第二卷
1.什麼是格雷碼?
ist採樣定例
3.球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功
4.運算放大器1,…………2,有幾級,各級之間耦合方式有幾種,分析各種的優劣。
收集二:1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區,截至區,線性區,擊穿區和C-V曲線)
2.2.2um工藝下,Kn=3Kp,設計一個反相器,説出器件尺寸。
3.説出製作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5.用CMOS畫一個D觸發器(clk,d,q,q-)
一.填空
1.集成電路的分類,按材料,工藝
2.集成電阻的計算,以及其製造工藝
,Vtn的正負判斷,分別對於增強型和耗盡型
電路功耗包括哪兩個部分,功耗設計主要考慮的因素
……(還有幾道不記得了)
二.填表
全定製,門陣列,FPGA各自單元模塊,連線的性質……
三.填圖
CMOS工藝流程填圖畫圖
四.問答
單元負載較大的電容時,只有提高W,這樣會使W*L增加,相對前級又時一個大電容,如何解決這一矛盾?
2.結合軟件談談全定製集成電路設計流程
3.談談對Layout設計的看法
五.翻版圖或者畫版圖,選一
第二卷
1.什麼是格雷碼?
ist採樣定例
3.球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功
4.運算放大器1,…………2,有幾級,各級之間耦合方式有幾種,分析各種的優劣。
收集二:1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區,截至區,線性區,擊穿區和C-V曲線)
2.2.2um工藝下,Kn=3Kp,設計一個反相器,説出器件尺寸。
3.説出製作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5.用CMOS畫一個D觸發器(clk,d,q,q-)
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